一份電(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)在其輸(shu)出端(duan)(duan)(duan)串接(jie)了(le)(le)一個22K的(de)電(dian)(dian)(dian)阻(zu),在其輸(shu)出端(duan)(duan)(duan)和輸(shu)入端(duan)(duan)(duan)之間接(jie)了(le)(le)一個10M的(de)電(dian)(dian)(dian)阻(zu),這是(shi)(shi)由(you)于(yu)連接(jie)晶(jing)振(zhen)的(de)芯(xin)片端(duan)(duan)(duan)內部是(shi)(shi)一個線性運算(suan)放大器(qi),將輸(shu)入進行反(fan)向(xiang)180度輸(shu)出,晶(jing)振(zhen)處的(de)負載電(dian)(dian)(dian)容電(dian)(dian)(dian)阻(zu)組成的(de)網絡提供(gong)另外(wai)180度的(de)相移(yi),整(zheng)個環路(lu)(lu)的(de)相移(yi)360度,滿足振(zhen)蕩的(de)相位條(tiao)件,同時還要求閉環增益大于(yu)等(deng)于(yu)1,晶(jing)體才正(zheng)常(chang)工(gong)作。
晶振(zhen)輸(shu)入輸(shu)出(chu)連接的(de)電(dian)阻作用是(shi)產生(sheng)負反饋,保(bao)證放大器(qi)(qi)工作在高增益的(de)線性(xing)區,一般(ban)在M歐級,輸(shu)出(chu)端的(de)電(dian)阻與負載電(dian)容組成網(wang)絡,提供(gong)180度相移(yi),同時起到限流的(de)作用,防(fang)止反向器(qi)(qi)輸(shu)出(chu)對晶振(zhen)過(guo)驅動(dong),損壞晶振(zhen)。
和(he)晶(jing)振(zhen)(zhen)串(chuan)聯(lian)的(de)(de)(de)電(dian)阻(zu)常用來(lai)預防晶(jing)振(zhen)(zhen)被過分(fen)驅動(dong)。晶(jing)振(zhen)(zhen)過分(fen)驅動(dong)的(de)(de)(de)后(hou)果(guo)是將逐漸損耗(hao)減少晶(jing)振(zhen)(zhen)的(de)(de)(de)接觸(chu)電(dian)鍍,這將引(yin)起頻率的(de)(de)(de)上(shang)升,并導致晶(jing)振(zhen)(zhen)的(de)(de)(de)早期失效,又可以講drive level調整用。用來(lai)調整drive level和(he)發振(zhen)(zhen)余(yu)裕(yu)度。
Xin和(he)Xout的內部一般是(shi)(shi)一個施密(mi)特反(fan)(fan)相器,反(fan)(fan)相器是(shi)(shi)不能(neng)驅動晶(jing)(jing)體震(zhen)蕩的.因此(ci),在反(fan)(fan)相器的兩端并聯一個電(dian)(dian)阻(zu),由電(dian)(dian)阻(zu)完(wan)成(cheng)將輸出的信(xin)號反(fan)(fan)向 180度反(fan)(fan)饋到輸入端形成(cheng)負反(fan)(fan)饋,構成(cheng)負反(fan)(fan)饋放大電(dian)(dian)路.晶(jing)(jing)體并在電(dian)(dian)阻(zu)上(shang),電(dian)(dian)阻(zu)與晶(jing)(jing)體的等效阻(zu)抗是(shi)(shi)并聯關系(xi),自己(ji)想一下是(shi)(shi)電(dian)(dian)阻(zu)大還是(shi)(shi)電(dian)(dian)阻(zu)小對晶(jing)(jing)體的阻(zu)抗影響小大?
電(dian)(dian)阻的(de)(de)作用是將電(dian)(dian)路內部的(de)(de)反(fan)向(xiang)器(qi)加一(yi)個(ge)反(fan)饋回路,形(xing)成放大(da)器(qi),當(dang)晶(jing)體并在(zai)其中(zhong)會(hui)使反(fan)饋回路的(de)(de)交(jiao)流等(deng)效按照晶(jing)體頻率(lv)諧振,由于晶(jing)體的(de)(de)Q值非常高,因此電(dian)(dian)阻在(zai)很大(da)的(de)(de)范圍變化都不會(hui)影響輸(shu)出頻率(lv)。過(guo)(guo)去,曾經(jing)試(shi)驗此電(dian)(dian)路的(de)(de)穩定性時(shi),試(shi)過(guo)(guo)從100K~20M都可(ke)以正常啟振,但會(hui)影響脈寬比的(de)(de)。
晶體的(de)Q值非(fei)常高, Q值是什么意思呢? 晶體的(de)串聯等(deng)效阻(zu)抗是 Ze = Re + jXe, Re<< |jXe|, 晶體一般(ban)等(deng)效于一個Q很(hen)高很(hen)高的(de)電感,相當(dang)于電感的(de)導(dao)線電阻(zu)很(hen)小(xiao)很(hen)小(xiao)。Q一般(ban)達(da)到10^-4量級。
避免信(xin)號太強(qiang)打壞晶體的。電阻一(yi)般比(bi)較大,一(yi)般是幾百K。
串進去(qu)的(de)(de)電阻(zu)是(shi)(shi)用(yong)來(lai)限制(zhi)振蕩幅度(du)(du)的(de)(de),并進去(qu)的(de)(de)兩顆電容根據LZ的(de)(de)晶振為幾十MHZ一般是(shi)(shi)在20~30P左右,主要(yao)用(yong)與微調頻(pin)率(lv)和波(bo)形,并影響(xiang)幅度(du)(du),并進去(qu)的(de)(de)電阻(zu)就要(yao)看 IC spec了,有的(de)(de)是(shi)(shi)用(yong)來(lai)反饋的(de)(de),有的(de)(de)是(shi)(shi)為過(guo)EMI的(de)(de)對(dui)策
可是(shi)轉化為(wei) 并(bing)聯等效(xiao)阻抗(kang)后,Re越(yue)小(xiao),Rp就(jiu)越(yue)大(da)(da)(da),這(zhe)是(shi)有(you)現成的(de)公(gong)式的(de)。晶體的(de)等效(xiao)Rp很大(da)(da)(da)很大(da)(da)(da)。外(wai)面并(bing)的(de)電阻是(shi)并(bing)到這(zhe)個Rp上(shang)的(de),于是(shi),降低了(le)Rp值 -----> 增(zeng)大(da)(da)(da)了(le)Re -----> 降低了(le)Q