ic芯片(pian)回(hui)收清洗方法及其系(xi)統(tong)工藝,電(dian)子(zi)垃(la)圾(ji)(ji)一(yi)直是我(wo)(wo)國存在紕漏的一(yi)個領域,很(hen)多人不(bu)了(le)解(jie)電(dian)子(zi)垃(la)圾(ji)(ji)的危害,在利益的驅使下(xia)(xia)把電(dian)子(zi)垃(la)圾(ji)(ji)使用不(bu)正規的方法處理,而現如今處理電(dian)子(zi)垃(la)圾(ji)(ji)的技(ji)術相對成熟了(le)不(bu)少,下(xia)(xia)面我(wo)(wo)們會針對ic芯片(pian)的回(hui)收清洗進行(xing)詳細的講解(jie)。
在電子產(chan)品(pin)組(zu)裝過(guo)程中會有(you)大(da)量芯片(pian)報廢,目(mu)前還(huan)沒有(you)任何(he)用(yong)于批量回收IC芯片(pian)的設備(bei)和方法,因此報廢的IC芯片(pian)都是被(bei)直接銷毀,造成資(zi)源(yuan)的極(ji)大(da)浪(lang)費(fei),不符合(he)節能(neng)減(jian)排(pai)綠色生產(chan)的號召。如(ru)何(he)將IC芯片(pian)回收,并且能(neng)夠批量高(gao)效地將IC芯片(pian)清洗(xi)去膠得以再利用(yong)是目(mu)前需要(yao)解決的問題。
IC芯片(pian)回收(shou)清洗方(fang)法,為(wei)解決上述技術(shu)問題(ti),采用如(ru)下(xia)技術(shu)方(fang)案(an):一種(zhong)IC芯片(pian)回收(shou)清洗方(fang)法,它包括以下(xia)步驟,
(一)、IC芯片回收:將IC芯片從未使用過(guo)且報廢的集成電(dian)路中(zhong)剝(bo)離(li)收集;
(二)、化學(xue)藥(yao)液浸(jin)泡(pao):將回收的IC芯片(pian)在(zai)IC化學(xue)藥(yao)液中分多次浸(jin)泡(pao),去除IC芯片(pian)表面(mian)的膠(jiao),第一(yi)次浸(jin)泡(pao)在(zai)室溫下浸(jin)泡(pao),之后(hou)的浸(jin)泡(pao)溫度為80?100°C,每次浸(jin)泡(pao)時間為I?15min ;
(三)、冷卻(que):在(zai)室溫下且(qie)在(zai)通風處(chu)自然冷卻(que)I?5min;
(四)、乙醇浸(jin)泡:在(zai)室溫下,將在(zai)IC化學(xue)藥液中浸(jin)泡過的(de)IC芯片(pian)(pian)放入乙醇中浸(jin)泡,去(qu)除IC芯片(pian)(pian)表面(mian)的(de)化學(xue)藥液殘留(liu)和顆粒雜質,浸(jin)泡時間為I?5min ;
(五)、去(qu)離(li)(li)子(zi)水漂洗(xi)(xi):在室(shi)溫下,將在乙醇中浸(jin)泡過的(de)IC芯片在去(qu)離(li)(li)子(zi)水中漂洗(xi)(xi),進(jin)一步去(qu)除化學藥液殘留和顆(ke)粒雜質,浸(jin)泡時間(jian)為(wei)I?5min ;
(六)、清洗完成(cheng)。
通過多次(ci)去(qu)膠、去(qu)化(hua)學殘留和雜質(zhi)的(de)步(bu)驟將報廢電子(zi)產(chan)品中的(de)IC芯片(pian)回收(shou)(shou),不僅將廢棄的(de)IC芯片(pian)回收(shou)(shou)重新(xin)利用,極(ji)大地降低了資(zi)源的(de)浪費(fei),而且回收(shou)(shou)的(de)IC芯片(pian)不受(shou)損傷,保證(zheng)了IC芯片(pian)的(de)質(zhi)量,不影響(xiang)再次(ci)使用。
工藝流程
1、初級化(hua)學藥液浸泡槽;2、次(ci)級化(hua)學藥液浸泡槽;3、防腐鏈條自動傳送臺;4、乙醇浸泡槽;5、去離子水漂洗槽;6、噴霧(wu)器;7、鼓泡器。
【具體實施(shi)方式】
如圖1所示,在本實施例中,該(gai)IC芯片(pian)回收清(qing)洗方法依次包括(kuo)以(yi)下步驟(zou):
一.1C芯片回收、二.室溫化學藥(yao)液(ye)浸泡、三.加熱化學藥(yao)液(ye)浸泡、四.冷(leng)卻、五.一次乙醇(chun)浸泡、六.去離(li)子(zi)水漂(piao)洗、七.二次乙醇(chun)浸泡、八(ba).清洗完(wan)成(cheng)。
步驟(zou)一:將IC芯片(pian)從(cong)未(wei)使用過且(qie)報廢的電子產品(pin)中剝離收(shou)集;
步驟(zou)二:將回收(shou)的IC芯片在室(shi)溫(wen)下的IC化(hua)學藥液中(zhong)浸泡I?15min(可以進行多次),從而初步去除IC芯片表(biao)面的膠;
步驟三:將完(wan)成步驟二后的IC芯片放入(ru)80?100°C的IC化(hua)學藥液(ye)中再次(ci)浸泡(pao)I?15min (可以進行多次(ci)),完(wan)全去除膠(jiao),所用化(hua)學藥液(ye)為ANS909化(hua)學藥液(ye),能有效(xiao)去除膠(jiao)殘留;
步驟四:將(jiang)去膠完成的IC芯(xin)片放置在防腐鏈條自動傳(chuan)送(song)臺上自然冷卻I?5min,溫度(du)為室溫,傳(chuan)送(song)臺處于通風處。
步驟五:在室溫下(xia),將在IC化學藥(yao)(yao)液(ye)中浸(jin)泡過的(de)IC芯片放入(ru)乙醇中浸(jin)泡,去除IC芯片表面的(de)化學藥(yao)(yao)液(ye)殘留和顆粒雜(za)質,浸(jin)泡時間為I?5min ;
步驟六:在室溫(wen)下,將在乙醇中(zhong)浸泡(pao)過(guo)的IC芯片在去離子水中(zhong)漂(piao)洗(xi),進一(yi)步去除化(hua)學藥液(ye)殘(can)留(liu)和顆粒雜質,浸泡(pao)時間為I?5min ;
步驟七:在室溫下,再次將IC芯片放入乙醇中浸泡,確保IC芯片表面(mian)的(de)化學藥液殘留和顆粒(li)雜(za)質(zhi)完全去除,浸泡時(shi)間為(wei)I?5min。
步驟八:清洗完成、入(ru)庫存放(fang)。
上述步驟需要以下IC芯片(pian)回收(shou)清洗系統(tong)完成:
該依次系統(tong)包括:化學藥液(ye)浸(jin)(jin)泡(pao)(pao)部、冷卻部、一次乙(yi)醇浸(jin)(jin)泡(pao)(pao)部、去離子水漂洗部、二次乙(yi)醇浸(jin)(jin)泡(pao)(pao)部、對各浸(jin)(jin)泡(pao)(pao)槽進行浸(jin)(jin)泡(pao)(pao)液(ye)補給(gei)與回收的(de)供液(ye)回收機(ji)構(gou)(gou)(未在(zai)圖(tu)中顯(xian)(xian)示)以及(ji)警(jing)報滅(mie)火機(ji)構(gou)(gou)(未在(zai)圖(tu)中顯(xian)(xian)示)。
如圖2所示,在本實施例中(zhong)(zhong),所述(shu)化學(xue)藥液(ye)浸泡(pao)(pao)部(bu)(bu)包括(kuo)兩個(ge)溫度為(wei)室溫的(de)(de)初級化學(xue)藥液(ye)浸泡(pao)(pao)槽(cao)(cao)(cao)1、四(si)個(ge)具有(you)加熱(re)部(bu)(bu)件的(de)(de)次級化學(xue)藥液(ye)浸泡(pao)(pao)槽(cao)(cao)(cao)2 ;所述(shu)冷卻部(bu)(bu)為(wei)防腐鏈(lian)條自動傳送臺3 ;所述(shu)一(yi)(yi)次乙(yi)醇(chun)浸泡(pao)(pao)部(bu)(bu)包括(kuo)一(yi)(yi)個(ge)乙(yi)醇(chun)浸泡(pao)(pao)槽(cao)(cao)(cao)4 ;所述(shu)去(qu)(qu)離(li)子(zi)(zi)(zi)水(shui)漂(piao)洗部(bu)(bu)包括(kuo)一(yi)(yi)個(ge)去(qu)(qu)離(li)子(zi)(zi)(zi)水(shui)漂(piao)洗槽(cao)(cao)(cao)5,去(qu)(qu)離(li)子(zi)(zi)(zi)水(shui)漂(piao)洗槽(cao)(cao)(cao)5內(nei)設置有(you)鼓泡(pao)(pao)器7和(he)將(jiang)去(qu)(qu)離(li)子(zi)(zi)(zi)水(shui)噴(pen)成霧(wu)(wu)狀的(de)(de)噴(pen)霧(wu)(wu)器6,能(neng)夠使去(qu)(qu)離(li)子(zi)(zi)(zi)水(shui)與IC芯片充分接觸,漂(piao)洗更(geng)徹底;二次乙(yi)醇(chun)浸泡(pao)(pao)部(bu)(bu)包括(kuo)一(yi)(yi)個(ge)乙(yi)醇(chun)浸泡(pao)(pao)槽(cao)(cao)(cao)4’ ;在乙(yi)醇(chun)浸泡(pao)(pao)槽(cao)(cao)(cao)4和(he)乙(yi)醇(chun)浸泡(pao)(pao)槽(cao)(cao)(cao)4’之間還(huan)設置有(you)用(yong)于(yu)將(jiang)乙(yi)醇(chun)浸泡(pao)(pao)槽(cao)(cao)(cao)4’中(zhong)(zhong)排放(fang)出的(de)(de)部(bu)(bu)分乙(yi)醇(chun)抽(chou)送至乙(yi)醇(chun)浸泡(pao)(pao)槽(cao)(cao)(cao)4中(zhong)(zhong)的(de)(de)氣動泵,若乙(yi)醇(chun)浸泡(pao)(pao)槽(cao)(cao)(cao)4’中(zhong)(zhong)的(de)(de)乙(yi)醇(chun)中(zhong)(zhong)雜質較少的(de)(de)話可以不(bu)直接排放(fang),而是送至乙(yi)醇(chun)浸泡(pao)(pao)槽(cao)(cao)(cao)4中(zhong)(zhong)進行再次利用(yong)。
在初級(ji)(ji)化(hua)學藥(yao)液浸(jin)泡(pao)(pao)(pao)(pao)槽(cao)I中(zhong)浸(jin)泡(pao)(pao)(pao)(pao)時間(jian)設定(ding)為lOmin,次(ci)級(ji)(ji)化(hua)學藥(yao)液浸(jin)泡(pao)(pao)(pao)(pao)槽(cao)2中(zhong)浸(jin)泡(pao)(pao)(pao)(pao)時間(jian)為20min,即初級(ji)(ji)化(hua)學藥(yao)液浸(jin)泡(pao)(pao)(pao)(pao)槽(cao)I的個數比(bi)與(yu)次(ci)級(ji)(ji)化(hua)學藥(yao)液浸(jin)泡(pao)(pao)(pao)(pao)槽(cao)2的個數比(bi)與(yu)IC芯片在初級(ji)(ji)化(hua)學藥(yao)液浸(jin)泡(pao)(pao)(pao)(pao)槽(cao)I和次(ci)級(ji)(ji)化(hua)學藥(yao)液浸(jin)泡(pao)(pao)(pao)(pao)槽(cao)2中(zhong)浸(jin)泡(pao)(pao)(pao)(pao)時間(jian)比(bi)相同,這樣能夠保證最優(you)化(hua)得(de)利用(yong)初級(ji)(ji)化(hua)學藥(yao)液浸(jin)泡(pao)(pao)(pao)(pao)槽(cao)I和次(ci)級(ji)(ji)化(hua)學藥(yao)液浸(jin)泡(pao)(pao)(pao)(pao)槽(cao)2。
當次級(ji)化學(xue)藥液(ye)浸泡槽2中化學(xue)藥液(ye)需要更換時,需要注意的是(shi):先(xian)將(jiang)高溫的化學(xue)藥液(ye)先(xian)降到40°C以下(xia)再(zai)進行排放。
上述所提及的各(ge)個(ge)浸泡槽(cao)或漂洗槽(cao)個(ge)數可(ke)以根據產量多少進行調節。
ic芯片(pian)回收清洗(xi)方(fang)法及其系統(tong)工藝內容就到這里,按照步驟將電子產品組裝過(guo)程中報廢的IC芯片(pian)回收,不僅將廢棄的IC芯片(pian)重新利用,極大地(di)降低了(le)(le)資(zi)源的浪費,而(er)且(qie)回收的IC芯片(pian)不受損傷(shang),保(bao)證了(le)(le)IC芯片(pian)的質量,不影響再次使用。