1、匹配電(dian)(dian)容-----負載(zai)電(dian)(dian)容是(shi)指(zhi)晶振(zhen)要正常震蕩所需要的電(dian)(dian)容。一般(ban)外接(jie)(jie)電(dian)(dian)容,是(shi)為了使晶振(zhen)兩(liang)端(duan)的等效電(dian)(dian)容等于或(huo)接(jie)(jie)近(jin)(jin)負載(zai)電(dian)(dian)容。要求高的場合(he)還要考慮ic輸入端(duan)的對地電(dian)(dian)容。一般(ban)晶振(zhen)兩(liang)端(duan)所接(jie)(jie)電(dian)(dian)容是(shi)所要求的負載(zai)電(dian)(dian)容的兩(liang)倍。這樣并聯(lian)起來就(jiu)接(jie)(jie)近(jin)(jin)負載(zai)電(dian)(dian)容了。
2、負載(zai)(zai)(zai)電(dian)(dian)容(rong)是(shi)指(zhi)在電(dian)(dian)路中跨接晶體兩(liang)端的(de)總的(de)外界有(you)效電(dian)(dian)容(rong)。他是(shi)一個測試(shi)條件(jian)(jian),也(ye)是(shi)一個使用(yong)條件(jian)(jian)。應用(yong)時(shi)一般在給(gei)出負載(zai)(zai)(zai)電(dian)(dian)容(rong)值附近調整可以得到(dao)精確頻率。此電(dian)(dian)容(rong)的(de)大小主(zhu)要影(ying)響負載(zai)(zai)(zai)諧(xie)振頻率和等效負載(zai)(zai)(zai)諧(xie)振電(dian)(dian)阻(zu)。
3、一般情況下(xia),增(zeng)大(da)負載電(dian)容會使(shi)振蕩(dang)頻(pin)率(lv)下(xia)降,而(er)減小負載電(dian)容會使(shi)振蕩(dang)頻(pin)率(lv)升(sheng)高(gao)。
4、負(fu)(fu)載電(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)是(shi)(shi)指晶(jing)(jing)(jing)(jing)振(zhen)(zhen)的兩條引(yin)線連接IC塊內(nei)部(bu)及外部(bu)所有有效電(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)之和(he),可看作晶(jing)(jing)(jing)(jing)振(zhen)(zhen)片在電(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)中串接電(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)。負(fu)(fu)載頻(pin)率不同(tong)(tong)決(jue)定振(zhen)(zhen)蕩(dang)器的振(zhen)(zhen)蕩(dang)頻(pin)率不同(tong)(tong)。標(biao)(biao)稱頻(pin)率相同(tong)(tong)的晶(jing)(jing)(jing)(jing)振(zhen)(zhen),負(fu)(fu)載電(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)不一(yi)(yi)定相同(tong)(tong)。因為石英晶(jing)(jing)(jing)(jing)體振(zhen)(zhen)蕩(dang)器有兩個(ge)(ge)諧振(zhen)(zhen)頻(pin)率,一(yi)(yi)個(ge)(ge)是(shi)(shi)串聯揩振(zhen)(zhen)晶(jing)(jing)(jing)(jing)振(zhen)(zhen)的低負(fu)(fu)載電(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)晶(jing)(jing)(jing)(jing)振(zhen)(zhen):另(ling)一(yi)(yi)個(ge)(ge)為并聯揩振(zhen)(zhen)晶(jing)(jing)(jing)(jing)振(zhen)(zhen)的高負(fu)(fu)載電(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)晶(jing)(jing)(jing)(jing)振(zhen)(zhen)。所以,標(biao)(biao)稱頻(pin)率相同(tong)(tong)的晶(jing)(jing)(jing)(jing)振(zhen)(zhen)互換時還必須(xu)要求負(fu)(fu)載電(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)一(yi)(yi)至,不能冒然互換,否則會(hui)造成電(dian)(dian)(dian)(dian)器工作不正常(chang)。
晶振旁的電阻(并聯與串聯)
一(yi)份(fen)電(dian)路在其輸(shu)(shu)(shu)出端(duan)(duan)串接(jie)了一(yi)個(ge)(ge)22K的(de)(de)電(dian)阻(zu)(zu),在其輸(shu)(shu)(shu)出端(duan)(duan)和輸(shu)(shu)(shu)入端(duan)(duan)之間接(jie)了一(yi)個(ge)(ge)10M的(de)(de)電(dian)阻(zu)(zu),這是由(you)于(yu)連接(jie)晶(jing)(jing)振的(de)(de)芯片端(duan)(duan)內部是一(yi)個(ge)(ge)線性運算放大(da)器,將輸(shu)(shu)(shu)入進行反向180度輸(shu)(shu)(shu)出,晶(jing)(jing)振處的(de)(de)負載電(dian)容電(dian)阻(zu)(zu)組成的(de)(de)網絡提供另外(wai)180度的(de)(de)相移(yi),整(zheng)個(ge)(ge)環路的(de)(de)相移(yi)360度,滿足(zu)振蕩的(de)(de)相位條件,同時還要求閉(bi)環增益大(da)于(yu)等于(yu)1,晶(jing)(jing)體才正常工作。
晶(jing)(jing)振(zhen)(zhen)輸(shu)入(ru)輸(shu)出(chu)連接(jie)的電(dian)阻作(zuo)用(yong)是產生負(fu)(fu)反饋(kui),保證(zheng)放大器(qi)工作(zuo)在(zai)高增益的線性區,一般在(zai)M歐(ou)級(ji),輸(shu)出(chu)端的電(dian)阻與負(fu)(fu)載電(dian)容(rong)組成網絡,提供180度相移,同(tong)時起到限(xian)流的作(zuo)用(yong),防止反向器(qi)輸(shu)出(chu)對晶(jing)(jing)振(zhen)(zhen)過驅動,損壞晶(jing)(jing)振(zhen)(zhen)。
和(he)晶振(zhen)(zhen)串聯的(de)(de)電(dian)阻常用(yong)來(lai)預防(fang)晶振(zhen)(zhen)被過分驅動(dong)。晶振(zhen)(zhen)過分驅動(dong)的(de)(de)后(hou)果是將(jiang)逐(zhu)漸損耗減少(shao)晶振(zhen)(zhen)的(de)(de)接觸(chu)電(dian)鍍,這(zhe)將(jiang)引起頻率的(de)(de)上升,并導致(zhi)晶振(zhen)(zhen)的(de)(de)早期失效,又可(ke)以講drive level調(diao)整用(yong)。用(yong)來(lai)調(diao)整drive level和(he)發振(zhen)(zhen)余裕(yu)度。
Xin和Xout的(de)內部一(yi)般(ban)是一(yi)個(ge)施密特反(fan)相器,反(fan)相器是不能(neng)驅動晶(jing)(jing)體震蕩的(de).因此,在反(fan)相器的(de)兩端并聯(lian)一(yi)個(ge)電(dian)阻(zu)(zu),由電(dian)阻(zu)(zu)完成將(jiang)輸出的(de)信號反(fan)向 180度(du)反(fan)饋到輸入端形成負反(fan)饋,構成負反(fan)饋放大(da)電(dian)路.晶(jing)(jing)體并在電(dian)阻(zu)(zu)上,電(dian)阻(zu)(zu)與晶(jing)(jing)體的(de)等效阻(zu)(zu)抗是并聯(lian)關系,自己想一(yi)下是電(dian)阻(zu)(zu)大(da)還是電(dian)阻(zu)(zu)小對晶(jing)(jing)體的(de)阻(zu)(zu)抗影響小大(da)?
電(dian)阻(zu)的(de)(de)作(zuo)用是將電(dian)路(lu)(lu)內部的(de)(de)反向器加(jia)一個(ge)反饋(kui)回路(lu)(lu),形成放(fang)大器,當晶體并在(zai)其中會使反饋(kui)回路(lu)(lu)的(de)(de)交流等效(xiao)按(an)照晶體頻率諧振,由于晶體的(de)(de)Q值非常高,因此電(dian)阻(zu)在(zai)很大的(de)(de)范圍變化都(dou)(dou)不會影響輸出頻率。過(guo)去,曾(ceng)經(jing)試驗此電(dian)路(lu)(lu)的(de)(de)穩定性時,試過(guo)從(cong)100K~20M都(dou)(dou)可以正常啟振,但會影響脈寬比的(de)(de)。
晶(jing)體(ti)的(de)Q值(zhi)非常高(gao), Q值(zhi)是什么(me)意思呢? 晶(jing)體(ti)的(de)串聯等效阻(zu)抗是 Ze = Re + jXe, Re<< |jXe|, 晶(jing)體(ti)一般等效于(yu)一個Q很高(gao)很高(gao)的(de)電感(gan),相當于(yu)電感(gan)的(de)導線(xian)電阻(zu)很小很小。Q一般達(da)到10^-4量級。
避免(mian)信號(hao)太強打壞晶體的。電阻一般(ban)比較大,一般(ban)是幾百(bai)K。
串(chuan)進去的(de)(de)(de)電(dian)阻(zu)是用(yong)(yong)來(lai)限制振蕩(dang)幅度的(de)(de)(de),并進去的(de)(de)(de)兩顆電(dian)容根據(ju)LZ的(de)(de)(de)晶振為幾十MHZ一般(ban)是在20~30P左右,主要用(yong)(yong)與微調頻率和(he)波(bo)形,并影響幅度,并進去的(de)(de)(de)電(dian)阻(zu)就要看 IC spec了,有(you)的(de)(de)(de)是用(yong)(yong)來(lai)反饋的(de)(de)(de),有(you)的(de)(de)(de)是為過(guo)EMI的(de)(de)(de)對策
可(ke)是(shi)(shi)轉化為 并(bing)聯等效阻抗后,Re越小(xiao),Rp就(jiu)越大,這是(shi)(shi)有現成的(de)(de)公式(shi)的(de)(de)。晶體(ti)的(de)(de)等效Rp很大很大。外(wai)面并(bing)的(de)(de)電阻是(shi)(shi)并(bing)到這個Rp上的(de)(de),于是(shi)(shi),降低(di)了(le)Rp值 -----> 增大了(le)Re -----> 降低(di)了(le)Q
關于晶振
石(shi)英晶體振(zhen)(zhen)蕩(dang)器(qi)是高精(jing)度(du)和(he)高穩定度(du)的振(zhen)(zhen)蕩(dang)器(qi),被廣泛(fan)應用于(yu)彩(cai)電(dian)、計算(suan)機、遙控器(qi)等各類(lei)振(zhen)(zhen)蕩(dang)電(dian)路(lu)中,以及通信(xin)系統(tong)中用于(yu)頻率發生器(qi)、為數(shu)據處理設備產(chan)生時鐘(zhong)信(xin)號(hao)(hao)和(he)為特定系統(tong)提(ti)供(gong)基準信(xin)號(hao)(hao)。
一、石英晶體振蕩器(qi)的基本原(yuan)理(li)
1、石英晶體(ti)振蕩器(qi)的(de)結構
石(shi)(shi)(shi)英晶(jing)(jing)(jing)體(ti)(ti)(ti)(ti)振(zhen)蕩器是利用石(shi)(shi)(shi)英晶(jing)(jing)(jing)體(ti)(ti)(ti)(ti)(二氧(yang)化硅的(de)(de)(de)結晶(jing)(jing)(jing)體(ti)(ti)(ti)(ti))的(de)(de)(de)壓(ya)電(dian)效應(ying)制成的(de)(de)(de)一(yi)種(zhong)諧(xie)振(zhen)器件,它的(de)(de)(de)基本構成大(da)致是:從一(yi)塊(kuai)石(shi)(shi)(shi)英晶(jing)(jing)(jing)體(ti)(ti)(ti)(ti)上(shang)按一(yi)定方位角切下(xia)薄片(簡稱(cheng)為(wei)晶(jing)(jing)(jing)片,它可以是正方形、矩形或(huo)圓形等(deng)),在它的(de)(de)(de)兩個對應(ying)面上(shang)涂敷銀層作為(wei)電(dian)極,在每(mei)個電(dian)極上(shang)各焊一(yi)根引線(xian)接到管腳上(shang),再加上(shang)封裝外殼就構成了石(shi)(shi)(shi)英晶(jing)(jing)(jing)體(ti)(ti)(ti)(ti)諧(xie)振(zhen)器,簡稱(cheng)為(wei)石(shi)(shi)(shi)英晶(jing)(jing)(jing)體(ti)(ti)(ti)(ti)或(huo)晶(jing)(jing)(jing)體(ti)(ti)(ti)(ti)、晶(jing)(jing)(jing)振(zhen)。其(qi)產(chan)品(pin)一(yi)般用金屬外殼封裝,也有用玻璃殼、陶瓷(ci)或(huo)塑料封裝的(de)(de)(de)。
2、壓電效應
若在石英晶(jing)(jing)(jing)(jing)體的(de)(de)兩(liang)(liang)(liang)個電(dian)(dian)極上(shang)加(jia)一電(dian)(dian)場(chang)(chang),晶(jing)(jing)(jing)(jing)片就會產(chan)(chan)生機械(xie)(xie)變形。反(fan)之,若在晶(jing)(jing)(jing)(jing)片的(de)(de)兩(liang)(liang)(liang)側施加(jia)機械(xie)(xie)壓(ya)(ya)力(li),則在晶(jing)(jing)(jing)(jing)片相(xiang)應的(de)(de)方向上(shang)將(jiang)產(chan)(chan)生電(dian)(dian)場(chang)(chang),這種物理現(xian)象稱為壓(ya)(ya)電(dian)(dian)效應。如果(guo)在晶(jing)(jing)(jing)(jing)片的(de)(de)兩(liang)(liang)(liang)極上(shang)加(jia)交(jiao)(jiao)變電(dian)(dian)壓(ya)(ya),晶(jing)(jing)(jing)(jing)片就會產(chan)(chan)生機械(xie)(xie)振(zhen)(zhen)動,同時晶(jing)(jing)(jing)(jing)片的(de)(de)機械(xie)(xie)振(zhen)(zhen)動又會產(chan)(chan)生交(jiao)(jiao)變電(dian)(dian)場(chang)(chang)。在一般(ban)情況下,晶(jing)(jing)(jing)(jing)片機械(xie)(xie)振(zhen)(zhen)動的(de)(de)振(zhen)(zhen)幅和交(jiao)(jiao)變電(dian)(dian)場(chang)(chang)的(de)(de)振(zhen)(zhen)幅非常微小(xiao),但當外加(jia)交(jiao)(jiao)變電(dian)(dian)壓(ya)(ya)的(de)(de)頻(pin)率為某一特定值時,振(zhen)(zhen)幅明顯(xian)加(jia)大(da)(da),比(bi)其他(ta)頻(pin)率下的(de)(de)振(zhen)(zhen)幅大(da)(da)得多,這種現(xian)象稱為壓(ya)(ya)電(dian)(dian)諧(xie)振(zhen)(zhen),它與LC回路(lu)的(de)(de)諧(xie)振(zhen)(zhen)現(xian)象十分相(xiang)似。它的(de)(de)諧(xie)振(zhen)(zhen)頻(pin)率與晶(jing)(jing)(jing)(jing)片的(de)(de)切割(ge)方式、幾(ji)何(he)形狀、尺(chi)寸(cun)等有關。
3、符號和等效電路
當晶(jing)體不振動(dong)時(shi),可(ke)把它(ta)看成一個平板電(dian)容器稱為(wei)靜電(dian)電(dian)容C,它(ta)的大小(xiao)與晶(jing)片(pian)的幾(ji)(ji)(ji)何尺寸、電(dian)極面積有關,一般約幾(ji)(ji)(ji)個PF到(dao)(dao)幾(ji)(ji)(ji)十PF。當晶(jing)體振蕩時(shi),機(ji)械(xie)振動(dong)的慣性可(ke)用(yong)電(dian)感L來(lai)等效(xiao)(xiao)。一般L的值為(wei)幾(ji)(ji)(ji)十mH 到(dao)(dao)幾(ji)(ji)(ji)百mH。晶(jing)片(pian)的彈性可(ke)用(yong)電(dian)容C來(lai)等效(xiao)(xiao),C的值很小(xiao),一般只有0.0002~0.1pF。晶(jing)片(pian)振動(dong)時(shi)因(yin)摩擦而(er)造成的損耗用(yong)R來(lai)等效(xiao)(xiao),它(ta)的數(shu)值約為(wei)100Ω。由于晶(jing)片(pian)的等效(xiao)(xiao)電(dian)感很大,而(er)C很小(xiao),R也小(xiao),因(yin)此(ci)回(hui)路(lu)的品質因(yin)數(shu)Q很大,可(ke)達1000~10000。加上晶(jing)片(pian)本(ben)身的諧振頻率基本(ben)上只與晶(jing)片(pian)的切割(ge)方式、幾(ji)(ji)(ji)何形(xing)狀(zhuang)、尺寸有關,而(er)且可(ke)以做得精確(que),因(yin)此(ci)利用(yong)石英諧振器組(zu)成的振蕩電(dian)路(lu)可(ke)獲得很高的頻率穩(wen)定(ding)度。
4、諧振頻率
從(cong)石(shi)英晶體諧(xie)振(zhen)(zhen)器的等(deng)(deng)效電路可知,它(ta)有兩個諧(xie)振(zhen)(zhen)頻(pin)率(lv)(lv),即(1)當L、C、R支(zhi)(zhi)路發(fa)生串(chuan)聯諧(xie)振(zhen)(zhen)時,它(ta)的等(deng)(deng)效阻(zu)(zu)抗小(等(deng)(deng)于(yu)R)。串(chuan)聯揩振(zhen)(zhen)頻(pin)率(lv)(lv)用fs表示,石(shi)英晶體對于(yu)串(chuan)聯揩振(zhen)(zhen)頻(pin)率(lv)(lv)fs呈純阻(zu)(zu)性,(2)當頻(pin)率(lv)(lv)高于(yu)fs時L、C、R支(zhi)(zhi)路呈感性,可與電容(rong)C。發(fa)生并(bing)聯諧(xie)振(zhen)(zhen),其并(bing)聯頻(pin)率(lv)(lv)用fd表示。
根據石英晶(jing)體的(de)等效(xiao)電路,可(ke)定性畫出它的(de)電抗—頻(pin)(pin)率特(te)性曲線。可(ke)見當頻(pin)(pin)率低(di)于串聯諧(xie)振頻(pin)(pin)率fs或者頻(pin)(pin)率高于并聯揩振頻(pin)(pin)率fd時(shi),石英晶(jing)體呈容性。僅在(zai)fs
二、石英晶體振蕩器類(lei)型特(te)點(dian)
石英晶體(ti)振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)蕩(dang)(dang)(dang)(dang)(dang)器是由品質(zhi)(zhi)因素極高的(de)石英晶體(ti)振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)子(即(ji)諧振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)器和振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)蕩(dang)(dang)(dang)(dang)(dang)電路組(zu)成。晶體(ti)的(de)品質(zhi)(zhi)、切割取向、晶體(ti)振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)子的(de)結構及電路形式等,共同決(jue)定振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)蕩(dang)(dang)(dang)(dang)(dang)器的(de)性能。國際電工(gong)委員會(IEC)將石英晶體(ti)振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)蕩(dang)(dang)(dang)(dang)(dang)器分為4類:普通晶體(ti)振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)蕩(dang)(dang)(dang)(dang)(dang)(TCXO),電壓控制式晶體(ti)振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)蕩(dang)(dang)(dang)(dang)(dang)器(VCXO),溫(wen)度(du)補(bu)(bu)償式晶體(ti)振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)蕩(dang)(dang)(dang)(dang)(dang)(TCXO),恒溫(wen)控制式晶體(ti)振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)蕩(dang)(dang)(dang)(dang)(dang)(OCXO)。目前發展中的(de)還(huan)有數(shu)字補(bu)(bu)償式晶體(ti)損振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)蕩(dang)(dang)(dang)(dang)(dang)(DCXO)等。
普(pu)通晶體振蕩(dang)器(qi)(qi)(SPXO)可產生(sheng)10^(-5)~10^(-4)量級的(de)頻率(lv)(lv)(lv)精度,標(biao)準(zhun)頻率(lv)(lv)(lv)1—100MHZ,頻率(lv)(lv)(lv)穩定度是(shi)±100ppm。SPXO沒有采用任何溫度頻率(lv)(lv)(lv)補償措施,價格(ge)低(di)廉(lian),通常用作(zuo)微處理器(qi)(qi)的(de)時鐘器(qi)(qi)件。封(feng)裝尺寸范圍從(cong)21×14×6mm及5×3.2×1.5mm。
電(dian)壓控制(zhi)式(shi)晶體振蕩(dang)器(VCXO)的精(jing)度是10^(-6)~10^(-5)量級(ji),頻(pin)率范圍1~30MHz。低容(rong)差(cha)振蕩(dang)器的頻(pin)率穩定度是±50ppm。通(tong)常用(yong)于鎖相(xiang)環(huan)路。封裝尺寸14×10×3mm。
溫(wen)度(du)補(bu)償式(shi)晶體(ti)振蕩器(TCXO)采(cai)用溫(wen)度(du)敏感器件進行溫(wen)度(du)頻(pin)率(lv)補(bu)償,頻(pin)率(lv)精度(du)達到10^(-7)~10^(-6)量級,頻(pin)率(lv)范圍1—60MHz,頻(pin)率(lv)穩定度(du)為±1~±2.5ppm,封裝尺(chi)寸從30×30×15mm至11.4×9.6×3.9mm。通常用于手持電(dian)話、蜂(feng)窩(wo)電(dian)話、雙向無線通信(xin)設備(bei)等。
恒溫(wen)控(kong)制式晶體振(zhen)蕩器(qi)(OCXO)將晶體和振(zhen)蕩電(dian)路置于恒溫(wen)箱中,以(yi)消除環境溫(wen)度變化對頻率(lv)的影響。OCXO頻率(lv)精度是10^(-10)至10^(-8)量(liang)級,對某些特(te)殊(shu)應(ying)用甚(shen)至達(da)到更高。頻率(lv)穩(wen)定度在四種(zhong)類(lei)型振(zhen)蕩器(qi)中高。
三、石英晶體振蕩器的(de)主要(yao)參(can)數
晶(jing)(jing)振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)主要(yao)(yao)(yao)(yao)參數(shu)(shu)有(you)標(biao)(biao)稱(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)頻(pin)(pin)(pin)(pin)(pin)(pin)率(lv)(lv),負載(zai)(zai)電(dian)容(rong)(rong)(rong)、頻(pin)(pin)(pin)(pin)(pin)(pin)率(lv)(lv)精(jing)(jing)度(du)(du)、頻(pin)(pin)(pin)(pin)(pin)(pin)率(lv)(lv)穩定(ding)(ding)度(du)(du)等(deng)。不(bu)(bu)同(tong)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)晶(jing)(jing)振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)標(biao)(biao)稱(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)頻(pin)(pin)(pin)(pin)(pin)(pin)率(lv)(lv)不(bu)(bu)同(tong),標(biao)(biao)稱(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)頻(pin)(pin)(pin)(pin)(pin)(pin)率(lv)(lv)大都(dou)標(biao)(biao)明在(zai)晶(jing)(jing)振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)外殼上。如常用(yong)普(pu)(pu)通晶(jing)(jing)振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)標(biao)(biao)稱(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)頻(pin)(pin)(pin)(pin)(pin)(pin)率(lv)(lv)有(you):48kHz、500 kHz、503.5 kHz、1MHz~40.50 MHz等(deng),對(dui)于特殊要(yao)(yao)(yao)(yao)求的(de)(de)(de)(de)(de)(de)晶(jing)(jing)振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)頻(pin)(pin)(pin)(pin)(pin)(pin)率(lv)(lv)可(ke)達(da)到(dao)1000 MHz以(yi)上,也(ye)(ye)有(you)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)沒有(you)標(biao)(biao)稱(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)頻(pin)(pin)(pin)(pin)(pin)(pin)率(lv)(lv),如CRB、ZTB、Ja等(deng)系列。負載(zai)(zai)電(dian)容(rong)(rong)(rong)是(shi)指(zhi)晶(jing)(jing)振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)兩(liang)條引線連接IC塊內部及外部所(suo)有(you)有(you)效電(dian)容(rong)(rong)(rong)之和,可(ke)看作(zuo)晶(jing)(jing)振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)片在(zai)電(dian)路中串接電(dian)容(rong)(rong)(rong)。負載(zai)(zai)頻(pin)(pin)(pin)(pin)(pin)(pin)率(lv)(lv)不(bu)(bu)同(tong)決定(ding)(ding)振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)蕩器(qi)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)蕩頻(pin)(pin)(pin)(pin)(pin)(pin)率(lv)(lv)不(bu)(bu)同(tong)。標(biao)(biao)稱(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)頻(pin)(pin)(pin)(pin)(pin)(pin)率(lv)(lv)相同(tong)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)晶(jing)(jing)振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen),負載(zai)(zai)電(dian)容(rong)(rong)(rong)不(bu)(bu)一(yi)定(ding)(ding)相同(tong)。因(yin)為石(shi)英(ying)晶(jing)(jing)體(ti)振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)蕩器(qi)有(you)兩(liang)個諧振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)頻(pin)(pin)(pin)(pin)(pin)(pin)率(lv)(lv),一(yi)個是(shi)串聯揩(kai)(kai)振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)晶(jing)(jing)振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)低(di)負載(zai)(zai)電(dian)容(rong)(rong)(rong)晶(jing)(jing)振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen):另一(yi)個為并聯揩(kai)(kai)振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)晶(jing)(jing)振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)高負載(zai)(zai)電(dian)容(rong)(rong)(rong)晶(jing)(jing)振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)。所(suo)以(yi),標(biao)(biao)稱(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)頻(pin)(pin)(pin)(pin)(pin)(pin)率(lv)(lv)相同(tong)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)晶(jing)(jing)振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)互換時還(huan)必須要(yao)(yao)(yao)(yao)求負載(zai)(zai)電(dian)容(rong)(rong)(rong)一(yi)至,不(bu)(bu)能(neng)冒然(ran)互換,否(fou)則(ze)會造(zao)成(cheng)電(dian)器(qi)工(gong)作(zuo)不(bu)(bu)正常。頻(pin)(pin)(pin)(pin)(pin)(pin)率(lv)(lv)精(jing)(jing)度(du)(du)和頻(pin)(pin)(pin)(pin)(pin)(pin)率(lv)(lv)穩定(ding)(ding)度(du)(du):由(you)于普(pu)(pu)通晶(jing)(jing)振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)性(xing)能(neng)基本都(dou)能(neng)達(da)到(dao)一(yi)般電(dian)器(qi)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)要(yao)(yao)(yao)(yao)求,對(dui)于高檔設備還(huan)需要(yao)(yao)(yao)(yao)有(you)一(yi)定(ding)(ding)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)頻(pin)(pin)(pin)(pin)(pin)(pin)率(lv)(lv)精(jing)(jing)度(du)(du)和頻(pin)(pin)(pin)(pin)(pin)(pin)率(lv)(lv)穩定(ding)(ding)度(du)(du)。頻(pin)(pin)(pin)(pin)(pin)(pin)率(lv)(lv)精(jing)(jing)度(du)(du)從(cong)10^(-4)量(liang)級(ji)到(dao)10^(-10)量(liang)級(ji)不(bu)(bu)等(deng)。穩定(ding)(ding)度(du)(du)從(cong)±1到(dao)±100ppm不(bu)(bu)等(deng)。這要(yao)(yao)(yao)(yao)根據(ju)具體(ti)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)設備需要(yao)(yao)(yao)(yao)而選擇合(he)適(shi)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)晶(jing)(jing)振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen),如通信(xin)網絡,無線數(shu)(shu)據(ju)傳輸等(deng)系統就需要(yao)(yao)(yao)(yao)更高要(yao)(yao)(yao)(yao)求的(de)(de)(de)(de)(de)(de)石(shi)英(ying)晶(jing)(jing)體(ti)振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)蕩器(qi)。因(yin)此,晶(jing)(jing)振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)參數(shu)(shu)決定(ding)(ding)了晶(jing)(jing)振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)品質和性(xing)能(neng)。在(zai)實際應用(yong)中要(yao)(yao)(yao)(yao)根據(ju)具體(ti)要(yao)(yao)(yao)(yao)求選擇適(shi)當的(de)(de)(de)(de)(de)(de)晶(jing)(jing)振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen),因(yin)不(bu)(bu)同(tong)性(xing)能(neng)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)晶(jing)(jing)振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)其價(jia)格(ge)不(bu)(bu)同(tong),要(yao)(yao)(yao)(yao)求越高價(jia)格(ge)也(ye)(ye)越貴,一(yi)般選擇只要(yao)(yao)(yao)(yao)滿足要(yao)(yao)(yao)(yao)求即可(ke)。
四、石(shi)英晶體振蕩器(qi)的發(fa)展趨(qu)勢
1、小(xiao)型化(hua)、薄片(pian)(pian)化(hua)和(he)片(pian)(pian)式化(hua):為(wei)滿足(zu)移動電(dian)話(hua)為(wei)代表的(de)便攜式產品輕、薄、短小(xiao)的(de)要求,石英晶(jing)體振蕩器的(de)封裝(zhuang)由傳統(tong)的(de)裸金屬(shu)外殼(ke)覆塑(su)料金屬(shu)向陶(tao)瓷封裝(zhuang)轉變。例如TCXO這類器件(jian)的(de)體積(ji)縮小(xiao)了30~100倍。采用SMD封裝(zhuang)的(de)TCXO厚度不足(zu)2mm,目前5×3mm尺寸的(de)器件(jian)已經上(shang)市(shi)。
2、高精度(du)(du)與高穩定(ding)度(du)(du),目前無補償式(shi)晶體振(zhen)蕩器總精度(du)(du)也能達(da)到±25ppm,VCXO的頻(pin)率穩定(ding)度(du)(du)在(zai)10~7℃范圍內一般可達(da)±20~100ppm,而(er)OCXO在(zai)同一溫度(du)(du)范圍內頻(pin)率穩定(ding)度(du)(du)一般為±0.0001~5ppm,VCXO控制(zhi)在(zai)±25ppm以下。
3、低噪聲(sheng),高頻化,在GPS通信系統中是不(bu)允許頻率顫(zhan)(zhan)抖的(de)(de),相位(wei)(wei)噪聲(sheng)是表征振蕩器頻率顫(zhan)(zhan)抖的(de)(de)一個重要參(can)數。目前(qian)OCXO主(zhu)流產品(pin)的(de)(de)相位(wei)(wei)噪聲(sheng)性能(neng)有很大改善。除VCXO外,其它(ta)類型的(de)(de)晶體振蕩器高輸(shu)出頻率不(bu)超過(guo)200MHz。例如用于GSM等(deng)移動電話的(de)(de)UCV4系列壓控振蕩器,其頻率為650~1700 MHz,電源電壓2.2~3.3V,工作電流8~10mA。
4、低(di)功能,快(kuai)速(su)啟動,低(di)電(dian)壓(ya)工作,低(di)電(dian)平驅動和(he)(he)低(di)電(dian)流消耗已成為一個趨勢。電(dian)源電(dian)壓(ya)一般為3.3V。目前許多TCXO和(he)(he)VCXO產品(pin)(pin),電(dian)流損耗不超過2 mA。石英晶(jing)體振蕩器的(de)快(kuai)速(su)啟動技術也取得突破性進(jin)展。例如日(ri)本精(jing)工生(sheng)(sheng)產的(de)VG—2320SC型VCXO,在±0.1ppm規定值范圍條件下,頻率穩(wen)定時間小(xiao)于(yu)4ms。日(ri)本東京陶瓷(ci)公司(si)生(sheng)(sheng)產的(de)SMD TCXO,在振蕩啟動4ms后則可達到額定值的(de)90%。OAK公司(si)的(de)10~25 MHz的(de)OCXO產品(pin)(pin),在預熱5分鐘后,則能達到±0.01 ppm的(de)穩(wen)定度。
五(wu)、石(shi)英晶體(ti)振蕩器(qi)的應用
1、石(shi)英(ying)鐘(zhong)走(zou)(zou)(zou)時(shi)(shi)準、耗電(dian)省、經久耐(nai)用為(wei)其(qi)大優點。不論(lun)是老式石(shi)英(ying)鐘(zhong)或(huo)是新式多功(gong)能石(shi)英(ying)鐘(zhong)都是以石(shi)英(ying)晶(jing)(jing)體(ti)振(zhen)蕩器(qi)(qi)為(wei)核(he)心電(dian)路(lu),其(qi)頻(pin)率(lv)(lv)精(jing)度(du)決定了電(dian)子(zi)鐘(zhong)表(biao)的(de)走(zou)(zou)(zou)時(shi)(shi)精(jing)度(du)。從石(shi)英(ying)晶(jing)(jing)體(ti)振(zhen)蕩器(qi)(qi)原理的(de)示(shi)(shi)意圖中(zhong),其(qi)中(zhong)V1和V2構(gou)成(cheng)CMOS反(fan)相器(qi)(qi)石(shi)英(ying)晶(jing)(jing)體(ti)Q與振(zhen)蕩電(dian)容(rong)(rong)C1及微調(diao)電(dian)容(rong)(rong)C2構(gou)成(cheng)振(zhen)蕩系(xi)統(tong),這里石(shi)英(ying)晶(jing)(jing)體(ti)相當于電(dian)感。振(zhen)蕩系(xi)統(tong)的(de)元件參(can)數(shu)(shu)確定了振(zhen)頻(pin)率(lv)(lv)。一(yi)般Q、C1及C2均為(wei)外接元件。另(ling)外R1為(wei)反(fan)饋電(dian)阻(zu),R2為(wei)振(zhen)蕩的(de)穩定電(dian)阻(zu),它們都集成(cheng)在電(dian)路(lu)內部(bu)。故(gu)無法通過改(gai)變(bian)(bian)C1或(huo)C2的(de)數(shu)(shu)值來調(diao)整走(zou)(zou)(zou)時(shi)(shi)精(jing)度(du)。但此(ci)時(shi)(shi)我們仍可用加接一(yi)只(zhi)電(dian)容(rong)(rong)C有方法,來改(gai)變(bian)(bian)振(zhen)蕩系(xi)統(tong)參(can)數(shu)(shu),以調(diao)整走(zou)(zou)(zou)時(shi)(shi)精(jing)度(du)。根據電(dian)子(zi)鐘(zhong)表(biao)走(zou)(zou)(zou)時(shi)(shi)的(de)快慢,調(diao)整電(dian)容(rong)(rong)有兩種接法:若走(zou)(zou)(zou)時(shi)(shi)偏快,則可在石(shi)英(ying)晶(jing)(jing)體(ti)兩端并(bing)接電(dian)容(rong)(rong)C,如圖4所(suo)示(shi)(shi)。此(ci)時(shi)(shi)系(xi)統(tong)總電(dian)容(rong)(rong)加大,振(zhen)蕩頻(pin)率(lv)(lv)變(bian)(bian)低,走(zou)(zou)(zou)時(shi)(shi)減慢。若走(zou)(zou)(zou)時(shi)(shi)偏慢,則可在晶(jing)(jing)體(ti)支路(lu)中(zhong)串接電(dian)容(rong)(rong)C。如圖5所(suo)示(shi)(shi)。此(ci)時(shi)(shi)系(xi)統(tong)的(de)總電(dian)容(rong)(rong)減小,振(zhen)蕩頻(pin)率(lv)(lv)變(bian)(bian)高,走(zou)(zou)(zou)時(shi)(shi)增快。只(zhi)要(yao)經過耐(nai)心的(de)反(fan)復試驗,就可以調(diao)整走(zou)(zou)(zou)時(shi)(shi)精(jing)度(du)。因此(ci),晶(jing)(jing)振(zhen)可用于時(shi)(shi)鐘(zhong)信號發生器(qi)(qi)。
2、隨著(zhu)電視(shi)技術(shu)的(de)發展(zhan),近來彩電多采用(yong)500kHz或503 kHz的(de)晶體振(zhen)蕩(dang)器作(zuo)為行(xing)、場電路(lu)的(de)振(zhen)蕩(dang)源,經(jing)1/3的(de)分頻得到 15625Hz的(de)行(xing)頻,其穩定(ding)性和可靠性大為提高。面且晶振(zhen)價(jia)格便宜,更換容易。
3、在通(tong)信(xin)系統產(chan)品中,石英晶(jing)體振蕩器(qi)的(de)價(jia)值得到了更廣泛(fan)的(de)體現,同時也得到了更快的(de)發展。許(xu)多(duo)高性能的(de)石英晶(jing)振主要應(ying)用于(yu)通(tong)信(xin)網絡、無線數據傳輸(shu)、高速數字數據傳輸(shu)等。
晶振的負載電容
晶(jing)體(ti)元件的(de)(de)(de)負(fu)(fu)載(zai)電(dian)容(rong)(rong)是指(zhi)在電(dian)路中跨(kua)接(jie)(jie)晶(jing)體(ti)兩端(duan)(duan)(duan)的(de)(de)(de)總的(de)(de)(de)外界有效(xiao)電(dian)容(rong)(rong)。是指(zhi)晶(jing)振要(yao)正(zheng)常震(zhen)蕩所(suo)需要(yao)的(de)(de)(de)電(dian)容(rong)(rong)。一(yi)(yi)般外接(jie)(jie)電(dian)容(rong)(rong),是為了使晶(jing)振兩端(duan)(duan)(duan)的(de)(de)(de)等(deng)效(xiao)電(dian)容(rong)(rong)等(deng)于或(huo)接(jie)(jie)近(jin)負(fu)(fu)載(zai)電(dian)容(rong)(rong)。要(yao)求高(gao)的(de)(de)(de)場合(he)還要(yao)考慮ic輸入端(duan)(duan)(duan)的(de)(de)(de)對地電(dian)容(rong)(rong)。應用時一(yi)(yi)般在給出負(fu)(fu)載(zai)電(dian)容(rong)(rong)值附近(jin)調整可以得(de)到(dao)精(jing)確頻(pin)率(lv)。此電(dian)容(rong)(rong)的(de)(de)(de)大小主要(yao)影響負(fu)(fu)載(zai)諧振頻(pin)率(lv)和等(deng)效(xiao)負(fu)(fu)載(zai)諧振電(dian)阻。
晶振的(de)(de)負載(zai)(zai)電(dian)(dian)容(rong)(rong)(rong)=[(Cd*Cg)/(Cd+Cg)]+Cic+△C式中Cd,Cg為分別接在晶振的(de)(de)兩個(ge)腳上和對地的(de)(de)電(dian)(dian)容(rong)(rong)(rong),Cic(集成(cheng)電(dian)(dian)路內部電(dian)(dian)容(rong)(rong)(rong))+△C(PCB上電(dian)(dian)容(rong)(rong)(rong)).就是(shi)說負載(zai)(zai)電(dian)(dian)容(rong)(rong)(rong)15pf的(de)(de)話(hua),兩邊個(ge)接27pf的(de)(de)差不多了,一般a為6.5~13.5pF
各(ge)種邏(luo)輯芯片(pian)的(de)(de)晶(jing)(jing)(jing)(jing)振(zhen)(zhen)(zhen)引(yin)(yin)(yin)腳(jiao)可(ke)(ke)(ke)以(yi)(yi)等效為電(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)(rong)三(san)點(dian)式(shi)振(zhen)(zhen)(zhen)蕩(dang)(dang)(dang)器(qi)。晶(jing)(jing)(jing)(jing)振(zhen)(zhen)(zhen)引(yin)(yin)(yin)腳(jiao)的(de)(de)內部(bu)通常(chang)是(shi)(shi)一(yi)個(ge)(ge)反相(xiang)器(qi), 或(huo)者是(shi)(shi)奇(qi)數(shu)(shu)(shu)個(ge)(ge)反相(xiang)器(qi)串聯(lian)(lian)。在晶(jing)(jing)(jing)(jing)振(zhen)(zhen)(zhen)輸出引(yin)(yin)(yin)腳(jiao) XO 和晶(jing)(jing)(jing)(jing)振(zhen)(zhen)(zhen)輸入(ru)(ru)引(yin)(yin)(yin)腳(jiao) XI 之間用(yong)一(yi)個(ge)(ge)電(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)連接(jie), 對于 CMOS 芯片(pian)通常(chang)是(shi)(shi)數(shu)(shu)(shu) M 到數(shu)(shu)(shu)十 M 歐之間。很(hen)(hen)多芯片(pian)的(de)(de)引(yin)(yin)(yin)腳(jiao)內部(bu)已經(jing)包(bao)含了(le)這(zhe)個(ge)(ge)電(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu), 引(yin)(yin)(yin)腳(jiao)外部(bu)就不(bu)用(yong)接(jie)了(le)。這(zhe)個(ge)(ge)電(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)是(shi)(shi)為了(le)使反相(xiang)器(qi)在振(zhen)(zhen)(zhen)蕩(dang)(dang)(dang)初始(shi)時處與(yu)線性狀態(tai), 反相(xiang)器(qi)就如同(tong)一(yi)個(ge)(ge)有很(hen)(hen)大增(zeng)益的(de)(de)放大器(qi), 以(yi)(yi)便于起振(zhen)(zhen)(zhen)。石(shi)英晶(jing)(jing)(jing)(jing)體(ti)也連接(jie)在晶(jing)(jing)(jing)(jing)振(zhen)(zhen)(zhen)引(yin)(yin)(yin)腳(jiao)的(de)(de)輸入(ru)(ru)和輸出之間, 等效為一(yi)個(ge)(ge)并(bing)聯(lian)(lian)諧振(zhen)(zhen)(zhen)回路, 振(zhen)(zhen)(zhen)蕩(dang)(dang)(dang)頻率(lv)(lv)應該是(shi)(shi)石(shi)英晶(jing)(jing)(jing)(jing)體(ti)的(de)(de)并(bing)聯(lian)(lian)諧振(zhen)(zhen)(zhen)頻率(lv)(lv)。晶(jing)(jing)(jing)(jing)體(ti)旁邊的(de)(de)兩(liang)(liang)個(ge)(ge)電(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)(rong)接(jie)地(di), 實(shi)際上就是(shi)(shi)電(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)(rong)三(san)點(dian)式(shi)電(dian)(dian)(dian)(dian)路的(de)(de)分壓(ya)電(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)(rong), 接(jie)地(di)點(dian)就是(shi)(shi)分壓(ya)點(dian)。以(yi)(yi)接(jie)地(di)點(dian)即分壓(ya)點(dian)為參考點(dian), 振(zhen)(zhen)(zhen)蕩(dang)(dang)(dang)引(yin)(yin)(yin)腳(jiao)的(de)(de)輸入(ru)(ru)和輸出是(shi)(shi)反相(xiang)的(de)(de), 但(dan)(dan)從并(bing)聯(lian)(lian)諧振(zhen)(zhen)(zhen)回路即石(shi)英晶(jing)(jing)(jing)(jing)體(ti)兩(liang)(liang)端(duan)(duan)(duan)來看, 形(xing)(xing)成一(yi)個(ge)(ge)正反饋以(yi)(yi)保(bao)證電(dian)(dian)(dian)(dian)路持續振(zhen)(zhen)(zhen)蕩(dang)(dang)(dang)。在芯片(pian)設計時, 這(zhe)兩(liang)(liang)個(ge)(ge)電(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)(rong)就已經(jing)形(xing)(xing)成了(le), 一(yi)般(ban)是(shi)(shi)兩(liang)(liang)個(ge)(ge)的(de)(de)容(rong)(rong)量相(xiang)等, 容(rong)(rong)量大小(xiao)依工藝和版(ban)圖而(er)不(bu)同(tong), 但(dan)(dan)終(zhong)歸(gui)是(shi)(shi)比較小(xiao), 不(bu)一(yi)定適合很(hen)(hen)寬的(de)(de)頻率(lv)(lv)范(fan)圍。外接(jie)時大約是(shi)(shi)數(shu)(shu)(shu) PF 到數(shu)(shu)(shu)十 PF, 依頻率(lv)(lv)和石(shi)英晶(jing)(jing)(jing)(jing)體(ti)的(de)(de)特性而(er)定。需要注意的(de)(de)是(shi)(shi):這(zhe)兩(liang)(liang)個(ge)(ge)電(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)(rong)串聯(lian)(lian)的(de)(de)值是(shi)(shi)并(bing)聯(lian)(lian)在諧振(zhen)(zhen)(zhen)回路上的(de)(de), 會(hui)影響振(zhen)(zhen)(zhen)蕩(dang)(dang)(dang)頻率(lv)(lv)。當兩(liang)(liang)個(ge)(ge)電(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)(rong)量相(xiang)等時, 反饋系數(shu)(shu)(shu)是(shi)(shi) 0.5, 一(yi)般(ban)是(shi)(shi)可(ke)(ke)(ke)以(yi)(yi)滿足振(zhen)(zhen)(zhen)蕩(dang)(dang)(dang)條件的(de)(de), 但(dan)(dan)如果不(bu)易起振(zhen)(zhen)(zhen)或(huo)振(zhen)(zhen)(zhen)蕩(dang)(dang)(dang)不(bu)穩定可(ke)(ke)(ke)以(yi)(yi)減小(xiao)輸入(ru)(ru)端(duan)(duan)(duan)對地(di)電(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)(rong)量, 而(er)增(zeng)加輸出端(duan)(duan)(duan)的(de)(de)值以(yi)(yi)提(ti)高反饋量。
設計考慮事項:
1、使晶振(zhen)、外部(bu)電(dian)(dian)容器(如果有(you))與(yu) IC之(zhi)間的(de)信號線盡可(ke)能(neng)保(bao)持短。當非(fei)常低的(de)電(dian)(dian)流通(tong)過(guo)IC晶振(zhen)振(zhen)蕩(dang)器時(shi),如果線路太(tai)長,會使它對(dui) EMC、ESD 與(yu)串擾(rao)產生非(fei)常敏感的(de)影響。而且長線路還會給振(zhen)蕩(dang)器增加(jia)寄生電(dian)(dian)容。
2、盡可能將其(qi)它時鐘線路與(yu)頻(pin)繁切換的信號線路布(bu)置(zhi)在遠離晶(jing)振連(lian)接的位置(zhi)。
3、當心(xin)晶(jing)振和(he)地的走線
4、將(jiang)晶振外殼接地(di)
如果實際的負(fu)載電容配置不當,會(hui)引起線路參(can)考頻率的誤差。另(ling)外如在發射接收電路上(shang)會(hui)使(shi)晶振(zhen)的振(zhen)蕩幅度(du)下降(不在峰點(dian)),影響混頻信(xin)號的信(xin)號強度(du)與信(xin)噪。
當波形(xing)(xing)出現削峰,畸變時,可增(zeng)加負載電(dian)阻(zu)調(diao)整(幾十K到(dao)幾百K).要(yao)穩定波形(xing)(xing)是并聯(lian)一個1M左(zuo)右的反饋電(dian)阻(zu)。