回(hui)收報廢(fei)芯(xin)片(pian)(pian)(pian)廢(fei)舊ic
最大化利用資(zi)源,控制(zhi)電(dian)(dian)(dian)子(zi)元(yuan)件是一個無可(ke)或缺的(de)元(yuan)件,其中手機、電(dian)(dian)(dian)腦(nao)和電(dian)(dian)(dian)子(zi)產品中都(dou)(dou)有(you)ic芯(xin)片(pian)(pian)(pian),ic也可(ke)稱為集(ji)成電(dian)(dian)(dian)路,是將大量的(de)微電(dian)(dian)(dian)子(zi)元(yuan)器件(晶體管、電(dian)(dian)(dian)阻、電(dian)(dian)(dian)容等(deng))形成的(de)集(ji)成電(dian)(dian)(dian)路放在一塊塑(su)基上,做成一塊芯(xin)片(pian)(pian)(pian)。而今幾乎所(suo)有(you)看到的(de)芯(xin)片(pian)(pian)(pian),都(dou)(dou)可(ke)以叫做IC芯(xin)片(pian)(pian)(pian),良品ic到廢(fei)舊ic導致的(de)原因很多,其中電(dian)(dian)(dian)擊損壞占多數,下面我們來了解(jie)一下ic的(de)相關知識。
ic在(zai)人體(ti)靜電(dian)下是否會損壞(huai)?
隨(sui)著靜電(dian)(dian)防護(hu)(hu)在(zai)各電(dian)(dian)子制造企業(ye)(ye)的實踐中(zhong),企業(ye)(ye)也提出了(le)(le)(le)不少針對(dui)靜電(dian)(dian)防護(hu)(hu)的具體問題(ti),甚至于對(dui)靜電(dian)(dian)防護(hu)(hu)的總(zong)體認(ren)知(zhi)產生了(le)(le)(le)很(hen)多問號、懷疑。其中(zhong)常被提及(ji)的問題(ti)之(zhi)一,工廠都了(le)(le)(le)解人體高靜電(dian)(dian)會對(dui)電(dian)(dian)子器(qi)件(以(yi)各種IC為主)構(gou)成危害(hai),這種普遍認(ren)識(shi)沒有(you)問題(ti)。
但是大部分的電(dian)(dian)子企(qi)(qi)業很(hen)難(nan)形(xing)成靜電(dian)(dian)防護與生產良率或品質損(sun)失的關聯認(ren)知。那么,是否人體一(yi)旦靜電(dian)(dian)不受控(kong),裸手(shou)觸摸(mo)靜電(dian)(dian)敏感IC,就(jiu)會導致(zhi)IC損(sun)壞么?而(er)事實上,確實有(you)企(qi)(qi)業驗證過,很(hen)少有(you)發現IC(HBM-200V)損(sun)壞,即使是人體靜電(dian)(dian)達1000V。
要(yao)(yao)解(jie)決(jue)這個問題,就需(xu)要(yao)(yao)深入到了解(jie)IC器(qi)件(jian)ESD失(shi)效機(ji)理的(de)(de)層(ceng)面上。例如IC器(qi)件(jian)中常見的(de)(de)MOS(Metal Oxdide
Semiconductor)管(guan),其主要(yao)(yao)ESD失(shi)效機(ji)理是電(dian)極絕(jue)緣層(ceng)(電(dian)介(jie)質層(ceng))在(zai)遭(zao)受過高(gao)(gao)的(de)(de)靜電(dian)場作(zuo)用下發(fa)(fa)生(sheng)擊穿,瞬間(jian)產生(sheng)大ESD電(dian)流導致(zhi)絕(jue)緣層(ceng)發(fa)(fa)生(sheng)熱(re)損壞,從而導致(zhi)IC的(de)(de)原有設(she)計功能失(shi)效。由此認(ren)識得出,IC器(qi)件(jian)中絕(jue)緣層(ceng)受到較高(gao)(gao)的(de)(de)靜電(dian)場作(zuo)用,才是IC是否發(fa)(fa)生(sheng)ESD失(shi)效的(de)(de)根本因素。
集成(cheng)電(dian)(dian)路(lu)(Integrated
Circuit)是一種微型(xing)電(dian)(dian)子器件(jian)或(huo)部件(jian)。采用一定的(de)工(gong)藝,把一個電(dian)(dian)路(lu)中所(suo)需(xu)的(de)晶體管、二(er)極(ji)管、電(dian)(dian)阻、電(dian)(dian)容和(he)電(dian)(dian)感(gan)等元(yuan)(yuan)件(jian)及布線互(hu)連一起(qi),制作在一小塊(kuai)或(huo)幾(ji)小塊(kuai)半(ban)導體晶片或(huo)介質基片上,然后封裝在一個管殼內,成(cheng)為具有(you)所(suo)需(xu)電(dian)(dian)路(lu)功能的(de)微型(xing)結構;其中所(suo)有(you)元(yuan)(yuan)件(jian)在結構上已(yi)組(zu)成(cheng)一個整體,使電(dian)(dian)子元(yuan)(yuan)件(jian)向(xiang)著(zhu)微小型(xing)化、低(di)功耗和(he)高可靠性方面邁進(jin)了(le)一大步(bu)。
此時,我們再拿帶(dai)高靜(jing)電(dian)(dian)(dian)的(de)(de)(de)人(ren)員裸(luo)手(shou)觸摸(mo)靜(jing)電(dian)(dian)(dian)敏感的(de)(de)(de)IC管(guan)腳的(de)(de)(de)ESD情形與帶(dai)高靜(jing)電(dian)(dian)(dian)的(de)(de)(de)人(ren)員裸(luo)手(shou)去觸碰有管(guan)腳接地的(de)(de)(de)靜(jing)電(dian)(dian)(dian)敏感IC做對比,兩者的(de)(de)(de)主要差(cha)別(bie)在于人(ren)體對IC接觸放電(dian)(dian)(dian)時,IC是否有管(guan)腳處于接地狀態。而此差(cha)別(bie)就導致了(le)IC中的(de)(de)(de)靜(jing)電(dian)(dian)(dian)敏感結(jie)構(如電(dian)(dian)(dian)極(ji)絕(jue)緣層(ceng))經(jing)受的(de)(de)(de)ESD風險差(cha)異(絕(jue)緣層(ceng)的(de)(de)(de)靜(jing)電(dian)(dian)(dian)擊穿)迥然不同。
如果作以粗略(lve)的(de)比(bi)喻以方便(bian)理解,大(da)致得出人(ren)體對無(wu)管腳(jiao)接(jie)地(di)(di)的(de)IC接(jie)觸放(fang)(fang)電(dian)(dian),放(fang)(fang)電(dian)(dian)路徑(jing)短,ESD轉移的(de)靜(jing)電(dian)(dian)荷(he)量(liang)就(jiu)低(di);而有管腳(jiao)接(jie)地(di)(di)的(de)IC,在受到同樣的(de)人(ren)體接(jie)觸放(fang)(fang)電(dian)(dian)情形下,放(fang)(fang)電(dian)(dian)路徑(jing)要長很(hen)(hen)多(duo),ESD轉移的(de)靜(jing)電(dian)(dian)荷(he)量(liang)也(ye)(ye)就(jiu)高很(hen)(hen)多(duo),所造成的(de)ESD損壞風(feng)險(xian)也(ye)(ye)就(jiu)高出很(hen)(hen)多(duo)。
同(tong)樣的情形,對于PCBA(Printed Circuit Board
Assembly,印(yin)制電路板組件)也有(you)類似的效(xiao)果,有(you)接(jie)地(di)的PCBA,在遭(zao)受人體的靜電放電,ESD失效(xiao)風(feng)險顯著升高。
報廢芯(xin)片廢舊(jiu)ic的(de)最(zui)(zui)大化利(li)用(yong)資(zi)源,最(zui)(zui)好的(de)方法就是通過(guo)回(hui)收(shou)來(lai)解決(jue),回(hui)收(shou)ic處理通過(guo)維(wei)修拆解來(lai)利(li)用(yong)現(xian)有(you)的(de)資(zi)源。IC芯(xin)片的(de)組成有(you)電阻、電容、晶體二極管、電感,這些電子元(yuan)件都可(ke)通過(guo)回(hui)收(shou)拆解,測試是否為良品后再(zai)重新利(li)用(yong)。我司作為一家(jia)專業的(de)ic回(hui)收(shou)商(shang),有(you)責任有(you)義務減少(shao)客戶(hu)的(de)損失,如有(you)手機ic、電腦ic等(deng)各種ic芯(xin)片都可(ke)聯(lian)系超興勝電子。