ic芯(xin)片(pian)損(sun)壞(huai)的(de)(de)原(yuan)因分析,芯(xin)片(pian)一般就(jiu)是電(dian)(dian)流(liu)或者(zhe)電(dian)(dian)壓過大(da),導致的(de)(de)內部(bu)結構的(de)(de)擊穿(chuan),有些(xie)(xie)擊穿(chuan)可以(yi)造成(cheng)器件的(de)(de)永久性損(sun)壞(huai)。其他也沒什(shen)么(me)原(yuan)因可以(yi)導致IC損(sun)壞(huai)。可能還有就(jiu)是發熱(re)的(de)(de)問題(ti),有些(xie)(xie)器件由(you)于受到(dao)材料的(de)(de)限制,溫(wen)度不能過高,否則也就(jiu)壞(huai)了。還可以(yi)通過外(wai)界(jie)電(dian)(dian)磁波(bo),導致芯(xin)片(pian)的(de)(de)器件形成(cheng)大(da)的(de)(de)電(dian)(dian)流(liu),也就(jiu)破壞(huai)了電(dian)(dian)路,這種破壞(huai)面(mian)往往比(bi)較大(da)。
ic芯(xin)片損壞的原因(yin)(yin)分析,常見的ic芯(xin)片損壞原因(yin)(yin)有:靜電(dian)擊(ji)穿(chuan)、電(dian)源超壓、過流輸出、過熱燒毀等。
第一(yi)種針(zhen)對CMOS而(er)言;
第二種則所有(you)IC都會;
第三種在功率IC上(shang),如功放、穩壓(ya)等;
第(di)四種(zhong)指的是(shi)因為環(huan)境或自身發熱(re)引(yin)起的。
其中有(you)綜合因素(su)造成的(de),除靜電擊穿以外,其余都會表現不同程(cheng)度的(de)發熱。
ic芯片使用前損(sun)壞的原因
編程(cheng)高壓
有些(xie)OTP(一(yi)(yi)次可編(bian)程(cheng)(cheng)(cheng))芯片(pian)可能(neng)需要(yao)(yao)(yao)編(bian)程(cheng)(cheng)(cheng)高(gao)壓(ya)(ya)(ya)才能(neng)將數據寫(xie)入(ru),雖(sui)說是高(gao)壓(ya)(ya)(ya),其(qi)實很(hen)多也(ye)就6、7V左右,再(zai)高(gao)也(ye)就十(shi)幾伏,這(zhe)種(zhong)程(cheng)(cheng)(cheng)度的(de)(de)電壓(ya)(ya)(ya)對于我們來說比較安全,但對于很(hen)多芯片(pian)來說,已(yi)經算是高(gao)壓(ya)(ya)(ya)了,即使(shi)是需要(yao)(yao)(yao)這(zhe)種(zhong)電壓(ya)(ya)(ya)才能(neng)編(bian)程(cheng)(cheng)(cheng)的(de)(de)一(yi)(yi)些(xie)OTP芯片(pian),也(ye)無法長(chang)時間(jian)承受,因此有些(xie)芯片(pian)會(hui)(hui)規(gui)定(ding)高(gao)壓(ya)(ya)(ya)加載的(de)(de)最長(chang)時間(jian),一(yi)(yi)旦超過(guo)這(zhe)個極限,OTP區就可能(neng)會(hui)(hui)永久損(sun)壞(huai)。有些(xie)編(bian)程(cheng)(cheng)(cheng)器會(hui)(hui)提供編(bian)程(cheng)(cheng)(cheng)高(gao)壓(ya)(ya)(ya)的(de)(de)輸出(chu)功(gong)能(neng),在燒錄(lu)的(de)(de)流程(cheng)(cheng)(cheng)中自(zi)動開關編(bian)程(cheng)(cheng)(cheng)電壓(ya)(ya)(ya),而對于那些(xie)沒有提供編(bian)程(cheng)(cheng)(cheng)高(gao)壓(ya)(ya)(ya)的(de)(de)編(bian)程(cheng)(cheng)(cheng)器,使(shi)用時就要(yao)(yao)(yao)小心不要(yao)(yao)(yao)在編(bian)程(cheng)(cheng)(cheng)的(de)(de)時候發呆走神了,一(yi)(yi)定(ding)要(yao)(yao)(yao)及時斷開編(bian)程(cheng)(cheng)(cheng)高(gao)壓(ya)(ya)(ya)。
此外,還有很多(duo)其他的(de)(de)(de)因(yin)素(su)會損壞你的(de)(de)(de)芯片(pian)(pian),比(bi)如靜電(dian)防(fang)護是(shi)否(fou)做得到(dao)位,芯片(pian)(pian)存儲的(de)(de)(de)濕(shi)度,溫(wen)度是(shi)否(fou)符合(he)要求,芯片(pian)(pian)焊接的(de)(de)(de)溫(wen)度是(shi)否(fou)過高(gao)等,要提高(gao)燒寫(xie)的(de)(de)(de)良(liang)品率,就要從多(duo)個(ge)方面做工作,當然也不(bu)可忽略(lve)以上這(zhe)些不(bu)易引起注(zhu)意(yi)的(de)(de)(de)細(xi)節。
集成電路損壞(huai)的原(yuan)因
除了(le)“摩(mo)擦(ca)生(sheng)電”外,還有“感應生(sheng)電”和“容性生(sheng)電”也是靜電的主(zhu)要成因。
在電氣、電子(zi)設備電路(lu)中(zhong),元器件(jian)、導(dao)體和絕緣件(jian)等之間(jian),即(ji)使(shi)不(bu)發(fa)生接(jie)觸,也(ye)會(hui)通過(guo)這(zhe)兩種方式(shi)產生靜電。比如(ru),電視、電腦顯示屏就(jiu)(jiu)是一個靜電感(gan)應(ying)(ying)源,人體靠(kao)近(jin)它就(jiu)(jiu)會(hui)感(gan)應(ying)(ying)到(dao)靜電,使(shi)人感(gan)到(dao)不(bu)舒服或使(shi)皮膚干燥、吸附灰塵、出現紅斑等,這(zhe)就(jiu)(jiu)是“感(gan)應(ying)(ying)生電”;又(you)如(ru),電路(lu)中(zhong)相(xiang)互(hu)靠(kao)近(jin)的兩個元件(jian)或導(dao)線,因為存在寄(ji)生電容,也(ye)會(hui)在彼此間(jian)轉移(yi)電荷(he),這(zhe)即(ji)“容性生電”的表現。而且這(zhe)兩種方式(shi)在許多(duo)情況下是相(xiang)互(hu)兼(jian)有的。
當靜(jing)電積累到(dao)一定強度時就會(hui)發生放電(叉稱靜(jing)電釋放或(huo)(huo)電荷轉(zhuan)移),從而對人體、周圍(wei)物體或(huo)(huo)電子(zi)器(qi)件等造成一定影響或(huo)(huo)傷害,也會(hui)導致電子(zi)設備嚴(yan)重(zhong)損壞或(huo)(huo)工作(zuo)失(shi)常。在電子(zi)電氣領(ling)域,常用ESD來表示“靜(jing)電釋放”,它是(shi)英文EleCTRo-StatICDischarge的縮(suo)寫。
由于(yu)CMOS集成(cheng)電(dian)路具(ju)有集成(cheng)度(du)高、速度(du)快、能耗低等(deng)優(you)點(dian),因而現(xian)今(jin)的(de)各類電(dian)子、數碼產(chan)品中(zhong)廣泛應用了(le)這種(zhong)(zhong)器件.如電(dian)腦里的(de)CPU、存(cun)儲器、“南橋、北橋”、各種(zhong)(zhong)接口電(dian)路等(deng)等(deng),但是CMOS器件對靜(jing)電(dian)很(hen)敏感,容易被ESD損壞(huai),所以大家經常會遇到(dao)CMOS器件被靜(jing)電(dian)損壞(huai)的(de)現(xian)象(xiang)。今(jin)天的(de)ic芯片損壞(huai)的(de)原因分析內容就到(dao)這里,希望能幫到(dao)您。